| 2022年11月15日讯/生物谷bioon /——Innoscience科技有限公司今天宣布了一项新的低R。该公司成立的目的是基于高性能、低成本的硅氮化镓(GaN-on-Si)电源解决方案创建全球能源生态系统DS(上)650V E-mode GaN HEMT器件。INN650D080BS功率晶体管在标准8×8 DFN封装中具有80mΩ (60mΩ典型)的导通电阻，可实现更高功率的应用，例如图腾柱LLC架构或快速电池充电器。 Innoscience产品开发高级副总裁Yi Sun解释说:“我们现在能够解决高密度、高效率的电源转换应用。与所有其他650V hemt一样，这些新部件也符合JEDEC芯片和封装标准，并根据JEP180通过了DHSOL(动态高温工作寿命)可靠性测试和高达1000V的加速寿命测试，寿命计算为36年(520V;150°C;0.01%的失败率)。” 由于Innoscience的创新应变增强层，InnoGaN器件具有低比RDS(上)以及非常低的动态RDS(上)可靠性极佳。新的80mΩ RDS(上)部分还具有非常好的漏源电压瞬态(VDS,瞬态)和脉冲(VDS,脉冲)特性-分别为800V及750V。此外，与其他650V产品类似，新的80mΩ RDS(上)该设备的特点是在模具中嵌入了强大的ESD保护电路，以方便这些设备的批量生产组装和易于操作。然而，在这种情况下，ESD电路已被修改，以允许更大的负栅电压波动至-6V。 新的低R值DS(上)INN650D080BS功率晶体管，可在工业标准8×8 DFN封装，加入之前宣布的140mΩ，190mΩ， 240mΩ， 350 mΩ， 500mΩ和600 mΩ RDS(上)零部件，创造了一个重要的可用设备组合，不断向低R扩展DS(上)值。 |
| 关于Innoscience Innoscience是一家集成设备制造商(IDM)，成立于2015年12月，由CMBI, ARM, SK和其他知名投资者投资。随着新技术的发展，世界各地的电网和电力电子系统正在经历大规模的变革。我们的愿景是通过高效、低成本的硅氮化镓(GaN-on-Si)电源解决方案创建一个能源生态系统。2017年11月，Innoscience首次在珠海建立了GaN-on-Si器件的量产8英寸晶圆生产线。为了满足快速增长的电力需求，创科科技于2020年9月在苏州开设了一家新工厂。作为领先的GaN技术提供商，Innoscience拥有1400多名员工和300多名研发专家，致力于提供高性能和高可靠性的GaN电源器件，可广泛应用于云计算、电动汽车(EV)和汽车、便携式设备、移动电话、充电器和适配器等各种应用。如需更多信息，请访问www.innoscience.com． |
