圣克拉拉,CA,京都,日本,2023年5月31日(全球通讯社)-罗姆半导体今天宣布的RS6xxxxBx/RH6xxxxBx一系列n沟道mosfet (40 60 v / v / 80 v / 100 v / 150 v;13个零件编号)适合应用程序操作24 v / 36 v / 48 v电源,如基站、服务器和汽车工业和消费设备。
近年来,全球能耗一直在上升,开车需要工业设备(例如,服务器和基站,以及各种汽车)更有效率。在这些应用程序,利用中压场效电晶体,用于各种电路,制造商要求更低的功率损耗。然而,一般的场效应管的特点是两个主要参数导致功率损耗:电阻(RDS(上)),芯片尺寸成反比,和Gate-drain (Qgd)与芯片尺寸按比例增加,使它具有挑战性来实现。罗姆改善了两者之间的权衡采用铜夹连接和提高门的结构。
新mosfet实现行业领先[1]RDS(上)2.1 mΩ——比传统mosfet下降了约50%——通过增加设备性能和采用HSOP8 / HSMT8包具有低阻铜夹连接。此外,提高元素减少Qgd门结构,它通常是在权衡关系RDS(上),约40%和传统产品(比较典型的R值DS(上)和Qgd 60 v HSOP8包产品)。这些改进大大降低切换和传导损失,导致更高的应用效率。作为一个例子,当比较电源的效率评估板工业设备、罗门哈斯的新产品达到行业领先的效率约为95%(峰值)输出电流在稳态操作范围。
展望未来,罗门哈斯将继续发展与更低的R的mosfetDS(上)减少电力消耗在各种应用程序中,有助于解决社会问题,比如通过节能环保。
产品线
应用程序
- 电源为服务器和通信基站
- 汽车工业和消费产品
- 也适用于各种电源电路和motor-equipped设备
