加州桑尼维尔,2018年12月5日,芝诺半导体硅催化剂组合公司展示了其小说的可伸缩性1-transistor / 2-transistor Bi-SRAM(双稳态,内在双)内存技术FinFET技术节点IEDM会议。结果14和16 nm FinFET技术节点从多个铸造厂遵循以往Bi-SRAM技术在28纳米技术节点的实现。

芝诺1-transistor / 2-transistor Bi-SRAM使用单个晶体管作为内存bitcell因此3 x-5x小于常规sram使用6-transistor bitcells (6 t-sram)。另一个关键信息披露是基线FinFET Bi-SRAM技术可以制造的流程没有任何流程修改。这与其他新兴内存技术,如磁性随机存取存储器(MRAM)或电阻随机存取存储器(RRAM),这需要新材料。

“考虑到数量的SRAM芯片面积的最先进的soc, 1-transistor SRAM是很有吸引力的。因此,它是令人兴奋的,芝诺已经展示了1-transistor存储器的扩展使用FinFET设备。以来没有流程修改,它铺平了道路,实现更多的功能相同的芯片集成电路制造的成本,”副主任Runzi Chang博士说,铸造技术在Marvell半导体,Inc .)

这是得到维克多·莫洛兹博士研究员Synopsys对此,“我们以前使用Synopsys对此Sentaurus TCAD模拟1-transistor SRAM FinFET结构,所以硅示范有点期望。然而,以前模拟1-transistor SRAM利用埋n阱层。新的发展没有埋n阱层十分重要,因为它使技术与标准的铸造过程完全兼容。”

目标市场包括物联网(物联网)、手机、消费、HPC,网络,人工智能(AI)

CMOS工艺兼容性和小内存大小使芝诺Bi-SRAM技术理想的嵌入式内存技术。平均死区被嵌入式内存系统——一个芯片(SoC)预计将在2019年达到> 70%根据Semico研究,新架构(例如在人工智能应用程序)看到的最大同比增加嵌入式内存的内容。

商业模式和可用性

芝诺的商业模式是许可1-transistor Bi-SRAM和2-transistor Bi-SRAM技术和IP半导体公司和铸造厂。被许可人可以实现自己的记忆宏,或者他们可以合同芝诺。

今天的技术是用于客户互动;更多细节请联系芝诺。

关于芝诺半导体

芝诺半导体公司(www.zenosemi.com)开发和许可小说记忆和逻辑技术提供创新路径缩放半导体器件。记忆和逻辑技术的主流CMOS和FinFET制造过程没有新材料或设备,并没有更改任何现有的库和IP。芝诺目前已获得50多个专利。芝诺联系在contact@zenosemi.com。

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