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FLASH变得更小

感觉,乍一看,像传统观念对浮置栅极细胞在小尺寸没有未来可能去传统智慧的方式很多。的高跟鞋Kilopass 40 MTP的公告中,微米和英特尔宣布NAND闪存在低至20海里。

不是可伸缩的低于90纳米。

这里的问题是太多的隧道时,氧化物太薄。它不应该与氧化物薄。所以…是错了吗?

嗯,是的,没有。根据微米,“作为氧化物薄了,我们不得不想出更复杂的氧化物和电介质材料。“他们不是说更多。大概这意味着它不是微不足道的,因此它的秘密。或者也许是微不足道的;更保密的理由。

当然,如果电子隧道未经许可,其结果将是减少数据保留。这样的泄漏恶化与重复编程攻击,所以净净的是数据保留这些记忆保持一直,但耐力下降。

但是微米说他们玩一个变量:密度。他们正在谈论“每个字节数据保留”作为一个指标,这正在增加,因为密度上升速度比耐力下降。听起来这样他们可以使用额外的密度作为冗余交换细胞磨损。

那么这是否意味着那些说你不可能走到90海里被不到诚实吗?这是否意味着传统智慧是错误的吗?实际上,没有;还有一个区别:如上建议,需要特殊处理。所以你不能简单地把这种存储单元使用一个标准的逻辑过程。这就是事情分解。所以Kilopass出售IP集成芯片与其他逻辑(所谓的逻辑NVM);微米和英特尔不是。

更多的信息在他们的新闻稿

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