硅通孔(tsv)是一项关键技术，用于在所谓的3D(或2.5D)配置中堆叠芯片。很多人都在谈论如何使用深度反应离子蚀刻(DRIE)方法来获得一个漂亮的深深高宽比孔，然后用金属填充它来实现这种连接。

但在MEMS执行大会上与Silex的对话中，他们指出了他们对tsv采取的不同方法。而且，事实证明，这种方法已经投入生产5年了，所以它并不完全是新的——但我还没有看到主流对它进行讨论(也许只有我这么认为)。

不同之处在于它不是金属通道，而是硅通道。这就产生了SIL-VIA这个聪明的名字。

它基于高掺杂的大块硅。作为一个纯粹的游戏微机电系统公司，晶圆可能有不同于CMOS晶圆的特性。他们没有把整个洞蚀刻成金属柱，而是在洞周围蚀刻一个边框(通常是圆柱形的，但实际上它可以是任何形状)。然后他们在这个缝隙中生长氧化物，这样就把内部剩余的硅和外部剩余的硅隔离开来。

内部和外部的硅仍然是连接的，因为蚀刻没有通过晶圆的所有方式。通过磨去背部来“释放”核心。现在内部部分是隔离的，并可以形成一个½-1-Ω via。这与更典型的金属过孔的10-20 mΩ形成对比。

他们吹捧的主要好处是，通孔与周围的大块材料热匹配，他们说这是金属通孔的一个问题。当然，他们还指出，这款游戏已经投入生产好几年了;他们声称有超过50,000片晶圆的经验，实现了100多种不同的产品。

还有更多的信息在他们的技术页面中间…

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