碳纳米管作为晶体管的一个特点是，流经碳纳米管的电流必须从其他物质(通常是金属)进出碳纳米管。事实证明，这个结可能有很大的电阻。根据佐治亚理工学院和麻省理工学院(Songkil Kim etal)的团队所做的一篇论文，对于单壁碳纳米管(SWCNT)连接到金属，量子极限约为65 kΩ。

多壁碳纳米管(MWCNTs)可以提供低得多的电阻连接，但多低取决于您如何进行。溅射或蒸发只能让你到3-4 kΩ最好的情况下，没有污染。使用TEM-AFM和纳米操作+焦耳加热，你可以得到低至700 Ω，但这不是一个可行的商业过程。

该团队使用了电子束诱导沉积(EBID)，这本质上是一种局部CVD，其中气体在电子束的控制下被分解。整个过程包括首先石墨化非晶态碳，然后形成连接。

将无定形碳退火成石墨是一项挑战。他们尝试使用电流来产生焦耳加热，但很难控制:随着退火的进行，电阻下降，导致电流上升，导致失控，可能造成损坏。所以他们去了烤箱。他们必须将温度保持在350°C，即石墨化开始的温度，以防止碳纳米管在更高的温度下氧化。

为了将金属形成的多个墙壁连接起来，他们将电子束引导到连接点附近。起初，他们的目标是略短的连接，使用后散射连接内墙-有点像一个篮球上篮。然后他们直接专注于连接来完成它。

接着是退火。

结果如下:

• 在进行接触之前，电阻在GΩ范围内。
• 如果只有外墙是连接的，他们就得到了3.8-kΩ的连接。
• 仅EBID进程就将阻力从GΩ提高到300 kΩ。
• 在350°C下退火10分钟，电阻降至1.4 kΩ。
• 进一步20-25分钟的退火使电阻一路下降到116 Ω。

注意，据我所知，创建的团队没有使用这个过程第一碳纳米管子系统最近在ISSCC报告。

详情见已发表论文，但请注意，它是在付费墙后面。

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