两个最近发布公告关于干蚀刻系统。现在…干腐蚀并不是什么新鲜事。虽然较湿蚀刻,仍在使用。他们说,这就是问题所在。
第一次宣布1月下旬从Memsstar关于新系统运输。他们的重点是MEMS,特别是,对减少产量失败由于静摩擦。有两块移动。
首先,他们注意湿蚀刻过程必须遵循由洗干净所有的腐蚀剂,导致groddy碎片。这涉及到水,少量的水很容易得到“抓住”小空间由于毛细管作用。通常不是一个好主意有残留电路中任何地方,但是如果它碰巧触摸移动MEMS元素,那么它可能会导致元素绑定(或者,至少,不是移动相同的力/加速度关系作为设计)。这是一个形式的粘滞作用。
干蚀刻过程不涉及洗,所以只是远离湿蚀刻似乎就足够了。尤其是高频干燥的腐蚀,反应的产物之一是水。它通常在气态,它不会导致粘滞作用问题。但是,据Memsstar,如果反应不适当控制,可以把多余的水,其中一些可能会溶解,在这种情况下你回处理粘滞作用。
所以此举的第二部分是他们的唯一的过程监控系统可以确保这不会发生。所以你从一个两步湿蚀刻过程(蚀刻、清洗)静摩擦一步干蚀刻过程没有粘滞作用。
其他最近宣布;这是来自Nanoplas。他们得到从MEMS-oriented”高密度激进的通量”(HDRF)腐蚀装置,由于源提供了一个物种的浓度1000倍一个典型的来源,他们可能更有效清理残留物不规则MEMS配置,特别是蛀牙和high-aspect-ratio特性。
但是他们的最新声明是为了他们所谓的“原子层下游蚀刻,ALDE。他们不能说很多关于细节现在由于专利申请问题。但他们目前关注的是CMOS和遇到的问题在28日20日和14纳米节点使用传统磷酸湿蚀刻。
腐蚀通常涉及一定程度的选择性。你想腐蚀的东西你想删除不碰任何东西。不幸的是,没有什么是完美的,所以你总是得到一些东西影响你想保持;的选择性的比例是多少您腐蚀你想删除与你腐蚀多少你试图保持什么。利率可以10:1甚至50:1。
但据Nanoplas,从过程控制的角度来看,腐蚀速率和选择性一直紧密地绑定在一起。你可以更有选择性腐蚀速度较慢,所以很难优化质量和吞吐量。他们再次控制:他们说,与他们的新来源,他们可以独立控制选择性和腐蚀速率。
一般来说,有一件事你想腐蚀,和其他所有的事情是不应该蚀刻。这意味着可能有一个以上的材料,需要保护。但哪怕只是一个(Nanoplas说,通常一个或两个),这可能是氧化氮化硅或抵制或聚或金属…你可以想象的。
但是他们说他们提供允许腐蚀的控制优化的。现在,他们专注于罪腐蚀为特定客户的不满意传统wet-etch方法隔离技术的性能。但是,展望未来,他们将能够优化对任何其他蚀刻。氧化和保利将他们的下一个领域的工作。
他们不会是卖一个完整的系统,而是一个流程模块,oem可以融入他们的平台。
在这样的时间,我可以得到更多的信息在Nanoplas系统是如何工作的,我会跟进这些细节。
你可以找到更多关于Memsstar系统中释放;同样,有一些Nanoplas声明的更多细节释放。
