去年12月的IEDM大会有两个会议在非易失性内存的相变类型。最熟悉的是PCM -相变内存——一种物质是融化和淬火才能具体化,让它在无定形状态,或允许在一个有序的巩固,水晶时尚。材料的静息状态——非晶态或水晶——决定电阻率,因此,价值的。

PCM是一个很有前途的新技术在很长一段时间了,并说将会有更多。但它也有一个弱点:你需要足够的能量来融化。有一种新的方式来尝试这样的用更少的能源:“拓扑交换内存,”或有轨电车。之间的“阶段”它开关更微妙的无定形和结晶。

有轨电车使用一种“超晶格”GeTe和某人₂Te₃。超晶格是一种晶莹交替行两种材料组成的晶格。看着他们的人物,现在看来,有两个原子层交替的材料。这里的诀窍是,通用电气有一些灵活性而言,它是如何安排的Te。两国之间的通用电气会由一个Te原子在相邻的GeTe层;其他国家通用电气在另一边的Te伙伴,这意味着的Te两层相邻。

实际上在后者的状态,有一个小的电子渠道,可以更容易地流,这是一个低阻状态。通用原子的方式,电阻较高。

图1所示。有轨电车的两个州:低电阻(LRS)和高阻(小时)(图片由IEDM)

可能需要更少的能量移动通用原子比融化在PCM。但如何容易通用移动取决于职位空缺和通用电气的股票。报道团队,从低功耗电子协会&项目;纯粹与应用科学研究生院,筑波大学;名古屋大学研究生院工程;和国家机构的先进工业科学技术,都在日本,与通用电气的比例找到最优水平。

他们发现,复合通用电气_xTe_{1 - x},如果x > > 0.5 (GeTe x = 0.5),没有足够的流动性对通用移动。如果x < < 0.5,交换能量低于GeTe。换句话说,最好是“毒品”Te轻轻与通用电气,留足够的空间移动。

细胞与55µA他们想出了可编程电流(设置或重置),产生了100 x电阻率(即设置阻力与重置阻力)。和它的耐力1亿周期。

你可以阅读更多关于它IEDM程序,29.2会话。

与此同时,后续演示讨论了PCM的当前状态。PCM是“承诺”很长一段时间,并已永远几年准备商业用途。主持人直言不讳这个挑战,他指出,到目前为止,DRAM仍然更快,NAND仍然便宜,也不是市场萎缩。

他描述了可能的使用存储类内存(有点像硬盘的缓存数据),TCAM和“智能”内存(本质上建立突触)。和他2018年日期这可能是准备好了。

他获得信贷,然而,最诚实的答案我想我听说过的一次会议上,当观众问,“为什么要为那些应用程序,而不是使用PCM ReRAM或STT内存吗?”他的回答是,“因为我在PCM工作,不是ReRAM或STT。”

老实说,我不得不说,我的印象PCM的日子已经过去了。

你可以找到本文IEDM诉讼,会话29.3。

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