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一年一度的EUV更新

不,我们没有。我要扭转这个东西吗?

好吧,各位,有先进光刻发生在上个月,所以它必须时间…等待…等待…等待它…

这是我能想到的最好的线索。

仍然等待它吗?是的,我们是来旅游的。EUV是我们等待,当然可以。

这是必须更新的技术将最终拯救摩尔定律的即将结束。当然,这将是灾难性的。摩尔定律,结束。我的意思是,其他什么统一的主题可以用在所有的技术演示到处无论如何不同?

我们过去主要关注EUV能量的来源,我们使用晶片暴露。因为,当然,这是最大的,最明显的事情没有达到应有的水平。我们需要更多的美国瓦茨如果这件事让别人赚钱。

但它不是唯一的,所以我们将介绍几个著名的项目的众多演讲的EUV跟踪一周。

从…好吧,是的。让我们把这个做完。实际上,这样你就会冷静下来,读而不是略读,想,“他会提到它吗?他会提到它吗?“让我获得第一个淫荡的事情的。毕竟,我们不做太多的色情生意。(我将离开这由你来决定是否好或坏)。

这是交易。您可能还记得昔日我们描述Cymer来源之前。“昔日的”,因为他们被ASML收购;我们还是指Cymer。现在30 w的版本之一,他们的系统是在台积电纺。

,在的一个例子可能是最糟糕的时机,对台积电时呈现整体邀请报告总结一切EUV的状态在世界上最大的铸造,他们必须报告某种失调的激光机器已经在早期测试。表示时间,停止了工作。

这引起轰动,包括人们怀疑这可能是这项技术的最后一击。我们作为一个物种是如此戏剧性!说,这个消息听起来不像一件好事。

幸运的是,我们在EE日报》不要钱试图成为第一个网关最无耻的猜测可能会发生什么,它可能预示着。现在一点时间已经过了,我联系了ASML是否都已解决。他们的发言人莱恩年轻充满我。

这个故事,当他告诉它,这台机器是同时被升级的至高权力,把它备份过程中,激光错位问题确实引起机器回来了。他们发现问题的根源——这显然是一个程序性问题把它备份,而不是一个设计缺陷(虽然有些人可能会认为,对程序错误是一个设计缺陷,但我不会进入)。他们已经启动并运行了几个星期了。杨先生的知识,这不是一个与一些设计更改后临时补丁;这是一个事件,现在过去。完成了。Finito。

我知道,这有点令人失望的摇舌头和上气不接下气的猜测各种可怕的EUV征兆。是的,我替他们说,所以阴谋爱好者仍可能忙了一整天(反正没人阻拦他们,即使是无可争辩的事实)。但结论似乎是:“这里没什么。沿着人…”

既然我们已经派遣,宝贝,其他来源的新闻呢?嗯,正在努力改进pre-pulse技术。事实证明,pre-pulse的时机问题:纳秒脉冲创建一个2 d磁盘的锡滴;创建一个3 d云微微秒脉冲。Gigaphoton后者的细节了。

“由谁?“你问。是的,另一个公司在这个种族来源。Gigaphoton似乎是使用相同的基本pre-pulse技术,但他们使用单独的pre-pulse和主脉冲激光。和三菱与横向流激光器走出来,他们说的是1.6倍的效率比目前使用的轴流式激光。

这是两家公司(至少)与ASML / Cymer分享阶段。这很好,因为更多的手在甲板上改善的机会得到这个东西钉。但男人啊男人…这是一些大笔投资于有限数量的单位。EUV光源设备将一个真实的市场?将会有足够的商业传播,最终还是一个公司拥有这一切吗?

Cymer也做更详细的液滴物理建模,这样他们可以更精确和有效的控制。他们看到这个减少的“剂量”——衡量控制所需的能源- 3.5 x。(这意味着,教条,保证金将只有1/3.5改善th——大约14%的当前剂量保证金。)

当然,这不会是正确的如果我没有提供源动力的最新状态的预测,尽管我们知道准确的那些过去。2015年第二季度Gigaphoton承诺250 W;Cymer / ASML在2015年底。现在,我想人们会松了一口气看到万众期待的100 W克服障碍。

最后在源议程收集器清洗的问题。正如我们之前指出的那样,一些锡去到处都在反应室。收集器,它应该围捕那些EUV射线和它们指向你的晶体管,必须高度反光的。锡存款最终使收集器朦胧;一段时间后,你必须把机器拿下来,要么替换收集器(这样你可以再次启动并运行一个新的收集器时干净的另一个)还是等到清理完成。这两种选择是有吸引力。

(我们暗示几年前),氢可以绑定到冒犯锡块,把它们带走。现在从有用的概念到正式的过程:ASML显示模糊的视频收集器被氢清洗。最好的部分是你可以原位:不需要清除收集器。如果你经常这样做,而不必等待它积累到一个阴霾,那么这不会花很长时间和吞吐量不是死亡。所以我觉得这个问题是现在我们身后(即将全面实施)。

我应该提到另一个源激光演示出来的左外野,但我将介绍一个单独在未来,因为它似乎没有什么实用性今天的努力。

最后,让我们来谈谈defectivity面具。那些十字线:这样复杂的野兽!我们不能满意简单的反射或递送的表面,哦,不,那将是太简单!不,他们这些多层怪物。

是这种情况,因为几乎没有材料将传输或反映EUV光的方式我们用于可见光。这意味着EUV光被吸收(唯一的其他选择),几乎一切。这相当于劫持如果你想发送到目标。

所有EUV光学反射,包括面具——所以他们如何管理呢?多层材料,每一个都与光略有不同,交互和服务提供一个反射的干涉效应。我想说,我完全被它是如何工作的,但是你几乎立即找到我。这是一个Braggy菲涅耳。

这只是反映的部分。显然,如果这将是一个面具,你想要的光空间选择性。所以一个“减震器”层放置在多层堆栈在空白的面具;你想要这一层吸收(即。,不能反映)EUV光源。所以当你写一个面具,你有选择性地蚀刻电路模式的吸收层,这样潜在的多层,暴露的地方,能体现。

问题是有很多缺陷的机会,无论是在面具和日常使用。有三种基本类型:

  • 吸收器的缺陷
  • 多层缺陷
  • “落在”缺陷

吸收器的缺陷是面具中的错误模式,他们常常可以被修复。狡猾的人有人知道吗?

多层缺陷是一个更大的问题,因为他们很容易看不见。这是一个princess-and-pea的事情;说,如果有一个缺陷在玻璃衬底开始,到多个层的沉积,而不是这个好平行Dobosh果子奶油蛋糕的面具,线路运行的缺陷。这搅乱了它如何反映了光。

底部的缺陷不需要;它可能存在内部层堆栈。

这里的问题在于:这些缺陷,总的来说,没有明显当你检查在正常光。你可能会注意到他们只有当使用相同的EUV光将用于生产。(几乎可以确定的是,如果你没有注意使用EUV光源,那么它不重要。问题是,那是只有看到它。)使用相同的波长进行检查将用于生产被称为“光化性”检验,,是的,很急需这些掩盖缺陷。

有那么难吗?嗯,我会听从专家,但想想有多少努力和设备进入创造的EUV光源曝光。是的,你不需要(或希望!)100 W进行检查,但要求EUV光源检验不可能有希望。更多的费用和精力,如果什么都没有。

最后,我们有“落在“缺陷。在我鼓掌,最明显的,至少在技术、模糊的名字我可能甚至不需要告诉你这些是什么。但我会:它们颗粒期间下降到面具的使用。没有其他的解决方案,这要求一个非常干净的操作,面具频繁检查,烦人。

与标准non-EUV面具,此问题的解决方案是使用薄膜:这提供了一个玻璃层尘埃远离实际的面具。让尘埃的焦平面的曝光,这意味着尘埃不太可能暴露(或朦胧地并将接受的)。在本例中,我们想把一个玻璃层的EUV掩模所以粒子的土地,而不是实际的面具。

但是,正如你知道的时候你试图通过关闭窗口晒黑,这是行不通的。放一个玻璃层,告别所有的EUV光您辛辛苦苦创建和交付。这回来基本EUV挑战:找到一个材料,是除了EUV光源的吸收器。

工作正在进行中,找到一个合适的薄膜,可以传输超过90%的撞击EUV光源。我们还没有。

这些和其他的细节EUV论文将发表在网上有程序库;到目前为止,只有少数有,但是,即便如此,他们只是有成员,除非你愿意付账。

一个想法在“年度EUV更新”

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