让我们面对现实吧:我们对SRAM上瘾了。它很大,耗电很大,但速度很快。无论我们如何抱怨,我们仍然在使用它。因为我们还没有更好的主流产品。
我们已经看过了改进传统SRAM的尝试.我们已经研究了完全不同的内存技术,它们可能会取代SRAM,比如RRAM(首先是RRAM)五年多以前,然后去年-我们仍在努力中)和MRAM.几年前,我们研究了一个尝试新的SRAM技术脱离了传统的晶体管-明确一点,只有一个这样的晶体管(而不是六个),加上一个可能的选择晶体管。
这家公司就是芝诺,他们甚至利用了这个想法一种提供更大动力的方法在晶体管中——这可能意味着人们可以更长时间地使用旧技术。但是,在记忆的故事中,至少有一个未知的——当然,一个“我们认为是这样的”,但没有证据。
事情是这样的:最初的技术在28纳米平面技术上得到了验证。它能被利用到更激进的节点上吗——那些有finfet的节点?虽然芝诺认为这应该可行,但他们还没有进行实验来证明这一点。
事实证明,还有另一个恼人的问题——一个小细节可能会破坏一个伟大的新想法。该技术最初是在晶体管下面埋入一个N-well。这不是-现在也不是-标准CMOS流程的一部分。是的,随着时间的推移改变心流是可能的,但这是非常困难的,而且最好能从中得到很好的回报。一个1T的SRAM单元足够激发这个吗?也许吧,但是另一个要问的问题——也是芝诺问的问题——是,“对流的修改真的有必要吗?”如果我们忽略了N会发生什么。它还能用吗?”
在今年的IEDM上,他们回来报告关于这两个问题,在他们的讨论和论文中。这两个问题的答案是:是的。
下图显示了14nm的布局,左边是6T的传统SRAM,右边是1T的SRAM。
(图片由IEDM/Zeno提供)
他们还展示了14纳米的“轮廓”,与原来的28纳米平面版本相比。请注意FinFET的使用和右侧底层n阱的缺失。这个最新的再现使用标准的铸造CMOS工艺。
(图片由IEDM/Zeno提供)
他们展示的数据显示了双稳元素在重复读取数据时的稳定性,表明它一直存在——而且读取操作并不是破坏性的。
(图片由IEDM/Zeno提供)
他们在论文中详细介绍了阅读和写作的结果。如果你有机会接触IEDM程序,请寻找,”14纳米FinFET技术用于高密度/高性能嵌入式应用的双稳定1- /2晶体管SRAM。”
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我也开始学习马达,但似乎有点难。希望我能坚持下去。http://metonec.com/
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